镍钛外周血管直接真空退火炉

该设备主要用于半导体芯片、集成电路芯片、探测器芯片、激光器芯片、金属溅射薄膜压敏芯片、红外成像芯片、非制冷红外热成像芯片、气体传感器芯片、半导体电容式指纹辨识芯片、功率半导体器件、硅基辐射探测器的高真空低温封装工艺。

设备型号：TF300-100-HV-T10

额度温度：300℃

工作温度：RT-250℃

温控精度：±1℃

加热元件：红外卤素灯管（环形加热）

加热尺寸：100mm*400mm（Φ*L）

有效空间：90mm*250mm（Φ*L）

测温元件：K型，共2只，1控温，1监测

升温速率：≤10℃/Min

加热功率：4.8Kw

真空配置：分子泵+无油干泵（洁净度高）

极限真空：3.0*10-4Pa（空炉、经净化、室温、充分脱气）

工作真空：6.67*10-2Pa至6.67*10-3Pa

控制显示：10英寸液晶触摸屏